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碳化硅二極管參數(shù)-碳化硅二極管現(xiàn)貨供應(yīng)商及選型方案參考資料-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-09-03 

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碳化硅二極管參數(shù)
碳化硅二極管介紹及優(yōu)勢(shì)

碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn),是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一,并且率先實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化。與MOSFET器件相比,JFET器件不存在柵氧層缺陷造成的可靠性問(wèn)題和載流子遷移率過(guò)低的限制,同時(shí)單極性工作特性使其保持了良好的高頻工作能力。另外,JFET器件具有更佳的高溫工作穩(wěn)定性和可靠性。碳化硅JFET器件的門極的結(jié)型結(jié)構(gòu)使得通常JFET的閾值電壓大多為負(fù),即常通型器件,這對(duì)于電力電子的應(yīng)用極為不利,無(wú)法與目前通用的驅(qū)動(dòng)電路兼容。美國(guó)Semisouth公司和Rutgers大學(xué)通過(guò)引入溝槽注入式或者臺(tái)面溝槽結(jié)構(gòu)(TIVJFET)的器件工藝,開(kāi)發(fā)出常斷工作狀態(tài)的增強(qiáng)型器件。但是增強(qiáng)型器件往往是在犧牲一定的正向?qū)娮杼匦缘那闆r下形成的,因此常通型(耗盡型)JFET更容易實(shí)現(xiàn)更高功率密度和電流能力,而耗盡型JFET器件可以通過(guò)級(jí)聯(lián)的方法實(shí)現(xiàn)常斷型工作狀態(tài)。級(jí)聯(lián)的方法是通過(guò)串聯(lián)一個(gè)低壓的Si基MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。級(jí)聯(lián)后的JFET器件的驅(qū)動(dòng)電路與通用的硅基器件驅(qū)動(dòng)電路自然兼容。級(jí)聯(lián)的結(jié)構(gòu)非常適用于在高壓高功率場(chǎng)合替代原有的硅IGBT器件,并且直接回避了驅(qū)動(dòng)電路的兼容問(wèn)題。

目前,碳化硅JFET器件以及實(shí)現(xiàn)一定程度的產(chǎn)業(yè)化,主要由Infineon和SiCED公司推出的產(chǎn)品為主。產(chǎn)品電壓等級(jí)在1200V、1700V,單管電流等級(jí)最高可以達(dá)20A,模塊的電流等級(jí)可以達(dá)到100A以上。2011年,田納西大學(xué)報(bào)到了50kW的碳化硅模塊,該模塊采用1200V/25A的SiC  JFET并聯(lián),反并聯(lián)二極管為SiCSBD。2011年,GlobalPowerElectronics研制了使用SiCJFET制作的高溫條件下SiC三相逆變器的研究,該模塊峰值功率為50kW(該模塊在中等負(fù)載等級(jí)下的效率為98.5%@10kHz、10kW,比起Si模塊效率更高。2013年Rockwell  公司采用600V /5A  MOS增強(qiáng)型JFET以及碳化硅二極管并聯(lián)制作了電流等級(jí)為25A的三相電極驅(qū)動(dòng)模塊,并與現(xiàn)今較為先進(jìn)的IGBT、pin二極管模塊作比較:在同等功率等級(jí)下(25A/600V),面積減少到60%,該模塊旨在減小通態(tài)損耗以及開(kāi)關(guān)損耗以及功率回路當(dāng)中的過(guò)壓過(guò)流。

碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。

碳化硅二極管供應(yīng)商

KIA半導(dǎo)體根據(jù)日益嚴(yán)苛的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和市場(chǎng)對(duì)高能效產(chǎn)品的需求,推出新型600V-1700V碳化硅二極管,可幫助制造商滿足這些不斷上升的能效需求,提供更好的可靠性、耐用性和成本效率。

碳化硅二極管產(chǎn)品特點(diǎn)

碳化硅二極管的產(chǎn)品特點(diǎn),KIA半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生產(chǎn)的碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度對(duì)于開(kāi)關(guān)行為的影響較小、標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍為-55℃到175℃,大大降低散熱器的需求。碳化硅二極管的主要優(yōu)勢(shì)在于它具有超快的開(kāi)關(guān)速度且無(wú)反向恢復(fù)電流,與硅器件相比,它能夠大大 降低開(kāi)關(guān)損耗并實(shí)現(xiàn)卓越的能效。更快的開(kāi)關(guān)速度同時(shí)也能讓制造商減小產(chǎn)品電磁線圈以及相關(guān)無(wú)源組件的尺寸,從而提高組裝效率,減輕系統(tǒng)重量,并降低物料(BOM)成本。

碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

1、太陽(yáng)能逆變器

2、不間斷電源

3、電動(dòng)車

4、HID照明

5、功率因數(shù)校正

6、開(kāi)關(guān)模式電源

碳化硅二極管參數(shù)

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碳化硅二極管參數(shù)

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