KIA6115A 12A/150V規(guī)格書詳情-MOS管原廠 提供免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-05-14
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這個先進的技術是KIA半導體特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。這些設備非常適合高效率開關電源、功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲。
型號：KIA6115A
工作方式：12A/150V
漏源電壓：150V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù)：12A
脈沖漏電流:50A
總功耗:55W
漏源擊穿電壓:150V
輸入電容：900pF
輸出電容：115pF
反向轉移電容：70pF
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