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MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數(shù)/規(guī)格書/封裝詳情-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-06-20　

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MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數(shù)/規(guī)格書/封裝詳情

KIA半導體KNX2910A可以替代HY3210，KIA半導體深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。


KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領先、品質上乘的科技產(chǎn)品。

下文將介紹HY3210和KNX2910A兩個型號的參數(shù)對比、封裝、規(guī)格書等詳情。


KNX2910A 130A/100V產(chǎn)品應用領域

1、開關電源中的高效同步整流

2、高速功率開關


MOS管KNX2910A 130A/100V特征

RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V

超高密度電池設計

超低導通電阻

雪崩測試100%

提供無鉛和綠色設備（符合RoHS）


MOS管KNX2910A 130A/100V主要參數(shù)

型號：KNX2910A

參數(shù)：130A/100V

漏源電壓：100V

柵源電壓:±25V

雪崩能量單脈沖:552MJ

漏源擊穿電壓:100V

輸入電容：6800pF

輸出電容：630pF

反向轉移電容：350pF


MOS管KNX2910A 130A/100V封裝圖


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MOS管KNX2910A 130A/100V規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


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MOS管 3210產(chǎn)品特點

RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V

雪崩測試100%

可靠、堅固

無鉛和綠色設備


MOS管 HY3210應用領域

電源切換應用

不間斷電源


MOS管 HY3210封裝引腳圖


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MOS管 HY3210 100V/120A參數(shù)


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MOS管 HY3210 100V/120A規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


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