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新潔能 MOS管 NCE0115K用KNX6610A替代 15A/100V 規(guī)格書-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-07-15　

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新潔能 MOS管 NCE0115K可用KNX6610A替代 15A/100V 規(guī)格書

NCE0115K替代MOS管 KNX6610A

下文著重介紹NCE0115K與KNX6610A兩款型號(hào)，主要從它們的功能及封裝引腳圖、規(guī)格書、參數(shù)、電路特征等知識(shí)匯總。


MOS管 KNX6610A產(chǎn)品概述

KNX6610A是最高性能的溝槽N-ch MOSFETS，具有極高的高單元密度。為大多數(shù)同步降壓變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的RDSON和柵極充電。KNX6610A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證與可靠性。


MOS管 KNX6610A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=10V

先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)

超低柵電荷

優(yōu)異的CDV/DT效應(yīng)

可用的綠色設(shè)備


MOS管 KNX6610A 15A/100V應(yīng)用領(lǐng)域

1、高頻點(diǎn)負(fù)載同步降壓變換器

2、直流聯(lián)網(wǎng)供電系統(tǒng)

3、負(fù)荷開關(guān)


MOS管 KNX6610A 15A/100V主要參數(shù)

型號(hào)：KNX6610A

工作方式：15A/100V

漏源極電壓：100V

柵源電壓：±20V

單脈沖雪崩能發(fā)電：7.3MJ

雪崩電流：11A

操作連接和貯存溫度范圍:-55至150℃

漏源擊穿電壓：100V

溫度系數(shù)：0.098V/℃

前向跨導(dǎo)：13S

單脈沖雪崩能量:1.5MJ

二極管前置電壓：1.2V


MOS管 KNX6610A封裝圖


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MOS管 KNX6610A 15A/100V規(guī)格書

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NCE0115K參數(shù)

漏源電壓：100V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù):15A

漏電流連續(xù)(TC=100℃)：10.6A

脈沖漏電流：60A

最大功耗：50W

單脈沖雪崩能量：200MJ

漏源擊穿電壓：100V

輸入電容：2000PF

輸出電容：300PF

反向轉(zhuǎn)移電容：250PF


MOS管NCE0115K應(yīng)用領(lǐng)域

1、硬開關(guān)和高頻電路

2、電源切換應(yīng)用


MOS管NCE0115K封裝引腳圖


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