交錯(cuò)正激變換器拓?fù)浠竟ぷ髟?、優(yōu)缺陷和輸出功率限制這種拓?fù)渲皇莾蓚€(gè)相同的單端正激變換器交替工作 （ 各占半個(gè)周期） ，其次級(jí)電流電子器件經(jīng)過 整流碳化硅二極管相加 。其拓?fù)淙鐖D 2.14 所示。這種拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)是每周期有兩個(gè)功率脈沖 ，如圖 2.14 所示，且每個(gè)變換器只提供總輸出 功率的一半 。式 C 2.28 ） 給出了MOS開關(guān)電源效平頂電流幅值 ／pft = 3.13P,,J 2飛 ，某中凡 為總輸出功率 。 開關(guān)管電流是獲得相同總輸出功率的單個(gè)單端正激變換器的一半 。因此，兩個(gè)開關(guān)管的費(fèi)用 因每個(gè)開關(guān)管額定峰值電流較低而相互抵消了 ，或許價(jià)錢比兩倍額定電流的單個(gè)開關(guān)管更低 。

或從另一角度看 ，若這兩個(gè)額定電流相同的MOS開關(guān)電源 ，其電流幅值與給定輸出功率單端變 換器開關(guān)管的相同 ，則交錯(cuò)變換器可提供的輸出功率是該單端變換器輸出功率的兩倍 。另外，EMI 強(qiáng)度與電流幅值成比例 ，而不是非與電流脈沖數(shù)量成比例 。相同總輸出功率 下，交錯(cuò)變換器產(chǎn)生的 EMI 比單個(gè)正激變換器產(chǎn)生的 EMI 小。相同輸出功率下 ，每個(gè)變壓器都比正激變換器的小 。但兩個(gè)加在一同很可能比單個(gè)變壓 器占用的空間大且花費(fèi)的本錢高 。固然有這樣那樣的優(yōu)缺陷 ，交錯(cuò)正激變換器的主要優(yōu)點(diǎn)還是同樣的開關(guān)管電流幅值下可 提供單個(gè)正激變換器兩倍的輸出功率 。相比起來 ，推挽拓?fù)淇赡芨脙?yōu)越性 。固然都是雙開關(guān)管電路 ，但交錯(cuò)正撤變換器的兩 個(gè)變壓器可能比推挽拓?fù)涞囊粋€(gè)大變壓器更昂貴 ，占用的空間更多。

不過至今仍不很肯定 ， 在輸入和負(fù)載失常的 瞬態(tài)情況下 ，推挽拓?fù)涞拇磐ú黄胶鈫栴}能否完好能處置 。沒有磁通不平衡問題可能是運(yùn)用交錯(cuò)正激變換器的最好理由 。 在較少見的直流輸出電壓超越 200V   的場(chǎng)所，同樣的輸出功率下 ，選用交錯(cuò)正激變換器比選用單個(gè)正激變換器更合理 。單個(gè)正激變換器輸出續(xù)流二極管（ D5A 或 D5B ） 承受的反向 電壓峰值為交錯(cuò)正激變換器的兩倍 。
這是由于它的占 空比只需后者的 1/20輸出電壓低時(shí) 占空比小沒奮什么 問題，見式 （ 2.25 ） 。變壓器次級(jí)臣數(shù)選擇準(zhǔn)繩 （ 關(guān)于單 端正激變換器） 是，直流輸入最小即次級(jí)電壓幅值最低時(shí) ，產(chǎn)生所需輸出電壓的占空比匯 0 IT不超越 0.4。當(dāng)直流輸出為 200V 時(shí)，續(xù)流二極管承受的反向電壓峰值為 500Vo 開關(guān)管導(dǎo)通 瞬間，續(xù)流二極管己流過很大的正向電流 ，又將突然承受反壓 。假設(shè)該二極管反向恢復(fù)時(shí)間 長，短時(shí)內(nèi) 500V   的反向電壓就會(huì)惹起很大的反向電流 ，可能會(huì)損壞二極管 。通常，二極管額定反向電壓越大 ，反向恢復(fù)時(shí)間越長 ，這種情況下 ，問題就很嚴(yán)重了。 關(guān)于 200V 直流輸出 ，交錯(cuò)正激變換器運(yùn)轉(zhuǎn)在兩倍占 空比，續(xù)流二極管反壓僅為 250V 。運(yùn)用

低壓、恢復(fù)快的二極管 ，可大大降低其損耗 。

圖 2.14 交錯(cuò)正激變換器 。QI 和 Q2 每半周期交替導(dǎo)通 ，次級(jí)輸出相加使 每周期有兩個(gè)功率脈沖 ，且避免了推挽拓?fù)涞拇磐ú黄胶鈫栴}

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