MOS管KNX3404C 80A/40V規(guī)格書、封裝、參數(shù) 免費(fèi)送樣 性價(jià)比高-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-11-18
1、品牌：KIA
2、KIA半導(dǎo)體官網(wǎng)：www.bs126.com （歡迎咨詢，KIA半導(dǎo)體專業(yè)制造MOS管，會(huì)給客戶提供優(yōu)越的售后技術(shù)服務(wù)及前期的免費(fèi)送樣等）
3、KIA公司簡介：深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
4、KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。
5、KIA半導(dǎo)體封裝：KIA半導(dǎo)體與國內(nèi)一流封裝廠合作，擁有著齊全的封裝形式。
KNX3404C是高密度N溝道MOS管，它有著優(yōu)良的RDSON和大多數(shù)同步降壓變換器應(yīng)用的柵極電荷。KNX3404C 保證100％符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
RDS(ON),typ.=5.0mΩ@VGS=10V
超低柵電荷
100%EAS保證
綠色設(shè)備
Cdv/dt效應(yīng)下降良好
先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)
（注;具體參數(shù)，請(qǐng)查看下面規(guī)格書。）
型號(hào)：KNX3404C
漏源電壓：40V
柵源電壓:±20V
持續(xù)漏電流Tc=25℃：80A
持續(xù)漏電流Tc=100℃：58A
脈沖漏極電流：150A
單脈沖雪崩能量：110mJ
雪崩電流:47A
總功耗:52.1W
漏源擊穿
電壓:40V
正向跨導(dǎo):25S
柵極電阻:1.5Ω
輸入電容：3330PF
輸出電容：270PF
反向轉(zhuǎn)移電容：200PF
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