MOS管 6N70H 5.8A/700V規(guī)格書下載 廠家直銷 性價比高-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-01-19
深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應用領(lǐng)域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業(yè)務含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。
強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
這種功率MOSFET是KIA半導體使用先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的，這個先進的技術(shù)是KIA特別定制，以減少對狀態(tài)的抵抗，提供優(yōu)越的開關(guān)性能好，能承受雪崩和切換模式下的高能量脈沖。該裝置非常適合于高效率開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正，基于半橋拓撲。
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低柵極電荷（典型16nC）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt能力
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