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MOSFET知識-詳解MOSFET柵極前100Ω電阻有什么用-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-09-09 

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MOSFET知識-詳解MOSFET柵極前100Ω電阻有什么用

年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過實驗證明,為了獲得穩(wěn)定性,是不是真的必須把一個 100 Ω 的電阻放在 MOSFET 柵極前。


MOSFET,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。


高端電流檢測簡介

圖1中的電路所示為一個典型的高端電流檢測示例。

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負(fù)反饋試圖在增益電阻RGAIN上強(qiáng)制施加電壓VSENSE。通過RGAIN的電流流過P溝道MOSFET (PMOS),進(jìn)入電阻ROUT,該電阻形成一個以地為基準(zhǔn)的輸出電壓??傇鲆鏋椋?/span>

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電阻ROUT上的可選電容 COUT 的作用是對輸出電壓濾波。即使 PMOS 的漏極電流快速跟隨檢測到的電流,輸出電壓也會展現(xiàn)出單極點(diǎn)指數(shù)軌跡。


原理圖中的電阻 RGATE 將放大器與PMOS柵極隔開。其值是多少?經(jīng)驗豐富的 Gureux 可能會說:“當(dāng)然是100 Ω!”


嘗試多個阻值

如果柵極和源極之間有足夠的電容,或者柵極電阻足夠大,則應(yīng)該可以導(dǎo)致穩(wěn)定性問題。一旦確定RGATE和CGATE相互會產(chǎn)生不利影響,則可以揭開100 Ω或者任何柵極電阻值成為合理答案的原因。


圖2所示為用于凸顯電路行為的LTspice仿真示例。通過仿真來展現(xiàn)穩(wěn)定性問題,他認(rèn)為,穩(wěn)定性問題會隨著RGATE的增大而出現(xiàn)。畢竟,來自RGATE和CGATE的極點(diǎn)應(yīng)該會蠶食與開環(huán)關(guān)聯(lián)的相位裕量。然而,令人驚奇的是,在時域響應(yīng)中,所有RGATE值都未出現(xiàn)任何問題。

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電路并不簡單

在研究頻率響應(yīng)時,意識到,需要明確什么是開環(huán)響應(yīng)。如果與單位負(fù)反饋結(jié)合,構(gòu)成環(huán)路的正向路徑會從差值開始,結(jié)束于結(jié)果負(fù)輸入端。我們模擬了VS/(VP – VS)或VS/VE,并將結(jié)果繪制成圖。圖3所示為該開環(huán)響應(yīng)的頻域圖。在圖3的波特圖中,直流增益很小,并且交越時未發(fā)現(xiàn)相位裕量問題。事實上,從整體上看,這幅圖顯示非常怪異,因為交越頻率小于0.001 Hz。

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將電路分解成控制系統(tǒng)的結(jié)果如圖4所示。就像幾乎所有電壓反饋運(yùn)算放大器一樣,LTC2063具有高直流增益和單極點(diǎn)響應(yīng)。該運(yùn)算放大器放大誤差信號,驅(qū)動PMOS柵極,使信號通過RGATE– CGATE濾波器。CGATE和PMOS源一起連接至運(yùn)算放大器的–IN輸入端。RGAIN從該節(jié)點(diǎn)連接至低阻抗源。即使在圖4中,可能看起來RGATE– CGATE濾波器應(yīng)該會導(dǎo)致穩(wěn)定性問題,尤其是在RGATE比RGATE大得多的情況下。畢竟,會直接影響系統(tǒng)RGATE電流的CGATE電壓滯后于運(yùn)算放大器輸出變化。

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對于為什么RGATE和CGATE沒有導(dǎo)致不穩(wěn)定,我們提供了一種解釋:“柵極源為固定電壓,所以,RGATE – CGATE電路在這里是無關(guān)緊要的。你只需要按以下方式調(diào)整柵極和源即可。這是一個源極跟隨器?!?/span>


經(jīng)驗更豐富的同事說:“實際上,不是這樣的。只有當(dāng)PMOS作為電路里的一個增益模塊正常工作時,情況才是這樣的?!?/span>


受此啟發(fā),思考數(shù)學(xué)問題——要是能直接模擬PMOS源對PMOS柵極的響應(yīng),結(jié)果會怎樣?換言之,V(VS)/V(VG)是什么?等式:

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其中,

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運(yùn)算放大器增益為A,運(yùn)算放大器極點(diǎn)為ωA。

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什么是gm?對于一個MOSFET,看著圖1中的電路,當(dāng)通過RSENSE的電流為零時,通過PMOS的電流應(yīng)該為零。當(dāng)電流為零時,gm為零,因為PMOS實際上是關(guān)閉的,未被使用、無偏置且無增益。當(dāng)gm = 0時,VS/VE為0,頻率為0 Hz,VS/VG為0,頻率為0 Hz,所以,根本沒有增益,圖3中的曲線圖可能是有效的。


試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問題

帶來這點(diǎn)啟示,Neubean很快就用非零的ISENSE嘗試進(jìn)行了一些仿真。


圖5為從VE到VS的響應(yīng)增益/相位圖,該曲線跨越0dB以上到0dB以下,看起來要正常得多。圖5應(yīng)該顯示大約2 kHz時,100 Ω下有大量的PM,100 kΩ下PM較少,1 MΩ下甚至更少,但不會不穩(wěn)定。

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Neubean來到實驗室,用高端檢測電路LTC2063得到一個檢測電流。他插入一個高RGATE值,先是100 kΩ,然后是1 MΩ,希望能看到不穩(wěn)定的行為,或者至少出現(xiàn)某類振鈴。不幸的是,他都沒有看到。他嘗試加大MOSFET里的漏極電流,先增加ISENSE,然后使用較小的RGAIN電阻值。結(jié)果仍然沒能使電路出現(xiàn)不穩(wěn)定問題。


他又回到了仿真,嘗試用非零ISENSE測量相位裕量。即使在仿真條件下也很難,甚至不可能發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問題或者低相位裕度問題。


Neubean找到Gureux,問他為什么沒能使電路變得不穩(wěn)定。Gureux建議他研究一下具體的數(shù)字。Neubean已經(jīng)對Gureux高深莫測的話習(xí)以為常,所以,他研究了RGATE和柵極總電容形成的實際極點(diǎn)。在100 Ω和250 pF下,極點(diǎn)為6.4 MHz;在100 kΩ下,極點(diǎn)為6.4 kHz;在1 MΩ下,極點(diǎn)為640 Hz。LTC2063增益帶寬積(GBP)為20 kHz。當(dāng)LTC2063具有增益時,閉環(huán)交越頻率可能輕松下滑至RGATE– CGATE極點(diǎn)的任何作用以下。


可能出現(xiàn)不穩(wěn)定問題

意識到運(yùn)算放大器動態(tài)范圍需要延伸至RGATE– CGATE極點(diǎn)的范圍以外,Neubean選擇了一個更高增益帶寬積的運(yùn)放。LTC6255 5 V運(yùn)算放大器可以直接加入電路,增益帶寬積也比較高,為6.5 MHz。


Neubean急切地用電流、LTC6255、100 kΩ柵極電阻和300 mA檢測電流進(jìn)行了仿真。


然后,Neubean在仿真里添加了RGATE。當(dāng)RGATE足夠大時,一個額外的極點(diǎn)可能會使電路變得不穩(wěn)定。


圖6和圖7顯示的是在高RGATE值條件下的仿真結(jié)果。當(dāng)檢測電流保持300 mA不變時,仿真會出現(xiàn)不穩(wěn)定情況。

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實驗結(jié)果

為了解電流是否會在檢測非零電流時出現(xiàn)異常行為,Neubean用不同步進(jìn)的負(fù)載電流和三個不同的RGATE值對LTC6255進(jìn)行了測試。在瞬時開關(guān)切入更多并行負(fù)載電阻的情況下,ISENSE從60 mA的基數(shù)過度到較高值220 mA。這里沒有零ISENSE測量值,因為我們已經(jīng)證明,那種情況下的MOSFET增益太低。


實際上,圖8最終表明,使用100 kΩ和1 MΩ電阻時,穩(wěn)定性確實會受到影響。由于輸出電壓會受到嚴(yán)格濾波,所以,柵極電壓就變成了振鈴檢測器。振鈴表示相位裕量糟糕或為負(fù)值,振鈴頻率顯示交越頻率。

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頭腦風(fēng)暴時間

Neubean意識到,雖然看到過許多高端集成電流檢測電路,但不幸的是,工程師根本無力決定柵極電阻,因為這些都是集成在器件當(dāng)中的。具體的例子有AD8212、LTC6101、LTC6102和LTC6104高電壓、高端電流檢測器件。事實上,AD8212采用的是PNP晶體管而非PMOS FET。他告訴Gureux說:“真的沒關(guān)系,因為現(xiàn)代器件已經(jīng)解決了這個問題?!?/span>


好像早等著這一刻,教授幾乎打斷了Neubean的話,說道:“我們假設(shè),你要把極低電源電流與零漂移輸入失調(diào)結(jié)合起來,比如安裝在偏遠(yuǎn)地點(diǎn)的電池供電儀器。你可能會使用LTC2063或LTC2066,將其作為主放大器?;蛘吣阋ㄟ^470 Ω分流電阻測到低等級電流,并盡量準(zhǔn)確、盡量減少噪聲;那種情況下,你可能需要使用ADA4528,該器件支持軌到軌輸入。在這些情況下,你需要與MOSFET驅(qū)動電路打交道?!?/span>


顯然,只要柵極電阻過大,使高端電流檢測電路變得不穩(wěn)定是有可能的。Neubean向樂于助人的老師Gureux談起了自己的發(fā)現(xiàn)。Gureux表示,事實上,RGATE確實有可能使電路變得不穩(wěn)定,但開始時沒能發(fā)現(xiàn)這種行為是因為問題的提法不正確。需要有增益,在當(dāng)前電路中,被測信號需要是非零。


Gureux回答說:“肯定,當(dāng)極點(diǎn)侵蝕交越處的相位裕量時,就會出現(xiàn)振鈴。但是,你增加1 MΩ柵極電阻的行為是非?;闹嚨模踔?00 kΩ也是瘋狂的。記住,一種良好的做法是限制運(yùn)算放大器的輸出電流,防止其將柵極電容從一個供電軌轉(zhuǎn)向另一個供電軌?!?/span>


MOSFET應(yīng)用優(yōu)勢

1、場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用雙極晶體管。


2、有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比雙極晶體管好。


3、場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。


4、場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。


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