mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即便兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被以為是對(duì)稱的。三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件-其作用是把微小信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體根本元器件之一，具有電放逐大作用，是電子電路的中心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制造兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分紅三局部，中間局部是基區(qū)，兩側(cè)局部是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

工作性質(zhì)：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.

功耗問(wèn)題：三極管損耗大。

驅(qū)動(dòng)才能：mos管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流中央開(kāi)關(guān)電路。

MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)所，以及對(duì)基極或漏極控制電流比擬敏感的中央。普通來(lái)說(shuō)低本錢場(chǎng)所，普通應(yīng)用的先思索用三極管，不行的話思索MOS管實(shí)踐上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種了解是不對(duì)的。要真正了解得理解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才干明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(chǎng)（即內(nèi)建電場(chǎng)），當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內(nèi)建電場(chǎng)時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正導(dǎo)游通電壓（工程上普通以為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會(huì)有電荷存在，此時(shí)假如集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動(dòng)（實(shí)踐上都是電子的反方向運(yùn)動(dòng)），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過(guò)基區(qū)抵達(dá)集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復(fù)合（靠近集電極），為維持均衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動(dòng)，而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動(dòng)，此過(guò)程相似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子經(jīng)過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，假如這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到均衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需求時(shí)間。而mos三極管工作方式不同，沒(méi)有這個(gè)恢復(fù)時(shí)間，因而能夠用作高速開(kāi)關(guān)管。

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