1500V3A 變頻器 KNX42150A 1500V3A參數(shù)附件-KIA MOS管

1500V3A參數(shù) 變頻器

1.產(chǎn)品特點

高速開關(guān)

RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V

全隔離塑料包裝

2.應(yīng)用

交換應(yīng)用

1500V3A參數(shù) 變頻器 MOS管主要參數(shù)

1.開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；

通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

（2）漏源極間的穿通擊穿

有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID

4. 柵源擊穿電壓BVGS

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5. 低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力

是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6. 導(dǎo)通電阻RON  1500V3A參數(shù) 變頻器

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點的RON來近似

對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7. 極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1～3pF

CDS約在0.1～1pF之間

8. 低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的

由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）

這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小

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