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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管-結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和符號(hào)、特性曲線-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2017-07-17 

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

1.構(gòu)造與符號(hào)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖及其表示符號(hào)如圖2-31所示。

在圖2-31(a)中,s表示Source,源極;D表示Drain,漏極;G表示Gate,柵極。在漏極和源極之間加上一個(gè)正向電壓后,N型嗲電子半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子(電子)便能夠?qū)щ娏恕_@種導(dǎo)電溝道是N型的場(chǎng)效應(yīng)管,稱為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。


圖2-31 (b)中的場(chǎng)效應(yīng)管在P型硅棒的兩側(cè)制成了高摻雜的N型區(qū)(N+),其導(dǎo)電溝道為P型,多數(shù)載流子為空穴。


2.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線

1)轉(zhuǎn)移特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線表達(dá)當(dāng)UDS一定時(shí),柵源電壓Ucs對(duì)漏極電流iD的控制造用,即

理論剖析和實(shí)測(cè)結(jié)果標(biāo)明,iD與ucs契合平方律關(guān)系,即


式中,IDSS為飽和電流,表示UGS=o時(shí)的iD值;UP為夾斷電壓,表示UGS=Up時(shí)iD為零。


由此可見,結(jié)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線是用來闡明在一定的漏源電壓u陌時(shí),柵源電壓UGS和漏極電流iD之間變化關(guān)系的曲線。JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖2-32所示。


為了使輸入阻抗大(不允許呈現(xiàn)柵流ic),也為了使柵源電壓對(duì)溝道寬度及漏極電流有效地停止控制,PN結(jié)一定要反偏,因而在N溝道JFET中,uGS必需為負(fù)值。


2、輸出特性曲線

輸出特性曲線表達(dá)當(dāng)柵源電壓UGS,不變時(shí),漏極電流iD與漏源電壓UDS的關(guān)系,即


由此可見,輸出特性曲線表示的足以Ucs為參變量時(shí)iD與UDS的關(guān)系。JFET的輸出特性曲線如圖2-33所示,依據(jù)特性曲線的各局部特征,能夠?qū)⑵浞譃樗膫€(gè)區(qū)域,如圖中所示。


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