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MOS管導通條件-PMOS、NMOS分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-04-24 

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MOS管導通條件-PMOS、NMOS分享-KIA MOS管


MOS管導通條件

MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制,對于增強型MOS管來說,N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。


一般2V~4V就可以了。但是,MOS管分為增強型(常開型)和耗盡型(常閉型),增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來就處于導通狀態(tài),加柵源電壓是為了使其截止。


開關只有兩種狀態(tài)通和斷,三極管和MOS管工作有三種狀態(tài),1、截止,2、線性放大,3、飽和(基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加)。


使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱之為開關電路,一般以晶體管截止,集電極不吸收電流表示關;以晶體管飽和,發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。


開關電路用于數字電路時,輸出電位接近0V時表示0,輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字集成電路內部的晶體管都工作在開關狀態(tài)。


NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適合用于源極接地時的情況(低端驅動),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。


PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用NMOS。


MOS管 導通條件


NMOS管的主回路電流方向為D→S,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);


PMOS管的主回路電流方向為S→D,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電位比G電位高)。


PMOS增強型管:uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| , uGS|th|是開啟電壓;


NMOS增強型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是開啟電壓;


PMOS導通是在G和S之間加G負S正電壓。NMOS相反。

MOS管 導通條件


比如AOD409是一款P型MOS管,其中uGS=-10V,所以uG-uS<-10V才能導通。同理LR8726參數uG=10V,所以uG-uS>10V才能導通。


那么S極和D極輸入輸出反接又會怎樣呢?

MOS管 導通條件


這里D極和S極反向也不絕對,前提是看電路怎么設計,如輸入是地時也不用考慮寄生二極管直接導通的狀況,圖片上反接導致寄生二極管直接導通前提是輸入為高電壓,經過負載后直接流向地。這種情況是要避免出現的。否則MOS管就會失去了開關作用。




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