雙P溝道MOSFET KIA4953 -5.3A-30V參數(shù) SOP-8 原廠送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-27
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅(qū)動電壓的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
KIA半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生產(chǎn)的碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度對于開關(guān)行為的影響較小、標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍為-55℃到175℃，大大降低散熱器的需求。碳化硅二極管的主要優(yōu)勢在于它具有超快的開關(guān)速度且無反向恢復(fù)電流，與硅器件相比，它能夠大大降低開關(guān)損耗并實(shí)現(xiàn)卓越的能效。更快的開關(guān)速度同時(shí)也能讓制造商減小產(chǎn)品電磁線圈以及相關(guān)無源組件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕系統(tǒng)重量，并降低物料（BOM）成本。
-30V/-5.3A,RDS(on)=54mΩ(typ)(Vgs=-10V)
RDS(on)=84mΩ(Vgs=-4.5V)
低壓充放電（6Nctypical）
高功率和電流的能力
快速切換速度
工作方式：-5.3A/-30V
漏源極電壓：-30V
柵源電壓:±20V
最大漏電流連續(xù)：-5.3A
最大脈沖漏電流:-20A
連接和儲存溫度范圍:-55℃至150℃
漏源擊穿電壓：-30V
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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