廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

CMOS運放設(shè)計-關(guān)于電流鏡分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-05-18 

分享到:

CMOS運放設(shè)計-關(guān)于電流鏡分析-KIA MOS管


工作點

小信號是大信號工作在固定偏置點下電路體現(xiàn),那么為了得到我們需要的小信號性能,例如運放的增益,BW,GBW,PM,那么一個重要的前提就是電路要工作在小信號需要的偏置點上。


偏置點可以選擇的自由度是很多的,例如對一個MOS管,Vgs,Vds,Vbs等等都是可以設(shè)置的,但是對于模擬CMOS電路,大部分電路偏執(zhí)點有一個前提:


MOS管工作在飽和區(qū)

注:現(xiàn)在很多電路的MOS管也工作在亞閾值區(qū),但這種情況和飽和區(qū)比較相似,因此本文暫時忽略工作在亞閾值的情況。


運放與電流鏡的關(guān)系

如何讓運放的MOS管工作在飽和區(qū)


運放 電流鏡

單級共源放大器


讓我們以上圖為例,研究如何讓這個共源放大器的MOS管都工作在飽和區(qū)。 這是一個電流源負載的共源放大器,其中M2作為電流源使用,其電流是通過Vb提供的。在這個放大器中,需要的偏置電壓包括:


Vb偏置M2

Vin雖然是輸入電壓,但是其電壓值在一個固定電壓值附近波動,這個固定電壓值就是M1的偏置電壓


對于如何讓他們工作在飽和區(qū),我們通過大信號的思路去分析:

Vb偏置M2,產(chǎn)生一個電流I2;

Vin偏置M1,產(chǎn)生一個電流I1;

直觀地,或者說根據(jù)KCL,I1=I2;


假設(shè)M1和M2均工作在飽和區(qū),根據(jù)Vb和Vin的值以及平方律模型,它們產(chǎn)生電流I1,I2;


如果I1剛好等于I2,那么他們工作在飽和區(qū)的假設(shè)成立;


如果I1>I2,由于它們的電流需要相等,因此Vout會適當減小,通過降低M1的Vds1,增大M2的|Vds2|,調(diào)節(jié)他們的電流相等;


如果這個調(diào)節(jié)過程中,vds1仍然滿足Vds1>Vod1,那么M1仍然工作在飽和區(qū);如果不滿足,那么M1就工作在線性區(qū);


I1<I2的情況也可根據(jù)上述進行分析;

在上述過程中,造成M1或M2被擠壓到線性區(qū)的本質(zhì)是,M1和M2假設(shè)他們工作在飽和區(qū)產(chǎn)生的電流I1和I2不相等,且相差較大。因此,為了避免該情況的發(fā)生,就需要合理地設(shè)置Vb和Vin。


運放 電流鏡

差分輸入,差分輸出放大器


針對上圖的差分輸入,差分輸出,我們可以做類似的分析。首先,在工作點時,差分輸入為0,兩個輸入被偏置在輸入共模電壓上,這個時候差分運放的左右工作在對稱,也就是相同的狀態(tài),以左邊為例:


上半部分的電流是由Vb3偏置M7確定的,工作電流為I1;

下半部分的電流因為輸入差分電壓為0,左右各分ISS/2的電流;


假設(shè)I1和ISS/2是所有晶體管工作在飽和區(qū)的電流值,如果I1>ISS/2,那么X點電壓Vx會升高,通過調(diào)小M5和M7的|Vds|來減小I1,同時M1,M3,M9的Vds會增大,從而增大ISS/2,以此來讓I1和ISS/2相等;


如果Vx升高太多,那么就會把M5或者M7擠入線性區(qū);


I1<ISS/2的情況也可以作此分析

因此,為了讓所有晶體管工作在飽和區(qū),那么就要讓Vb3和Vb4合理地選擇以滿足ISS/2=I1。


如何用電流鏡偏置運放

從上文可知,讓運放工作在飽和區(qū)地關(guān)鍵是運放地上半部分(PMOS部分)和下半部分(NMOS部分)按照飽和區(qū)的工作狀態(tài)產(chǎn)生的電流相等。那最好的方式就是讓他們從一個電流源拷貝過來,如下圖所示。


運放 電流鏡

電流鏡偏置運放


在上圖中,如果IREF1和IREF2是一個電流源而來,通過Mb2和M7,Mb1和M9合適的比例設(shè)置,就可以滿足上文的要求。 為了更好地匹配,實際電路中,Mb2和M7,Mb1和M9通常采用相同的W/L,通過改變并聯(lián)個數(shù)來實現(xiàn),這樣可以保證在不同PVT下拷貝都很精準。


共模反饋的作用

然而,即使我們再精心地在前仿真時候設(shè)計,實際到后仿真,tape-out,因為器件失配,上文描述的電流相等也幾乎不可能出現(xiàn),而且這樣去匹配本身就違背了魯棒性的原則。這就體現(xiàn)了共模反饋電流的重要性。


運放 電流鏡

共模反饋電路


如上圖所示,通過共模反饋電路環(huán)路去調(diào)節(jié)“上”,“下”電流中的一個,讓兩者相等,這樣可以更魯棒地實現(xiàn)上文的電流相等要求,讓運放的所有晶體管工作的飽和區(qū)。 即使有共模反饋電路的“加持”,但上節(jié)提到的匹配設(shè)計還是很有必要,它可以減輕共模反饋電路的負擔,也是一種更為模塊,規(guī)整的設(shè)計思路。


總結(jié)

通過本文,我們可以看出,其實運放的晶體管就是電流鏡的拷貝晶體管,而偏置電路就是一個電流鏡的源頭。



聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。