MOS管散熱、功率、電流參數(shù)關(guān)聯(lián)分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-06-14
MOS管有如下參數(shù)：
Operating Junction ：Tmin-Tmax。
Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。
Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
THERMAL RESISTANCE：Rjc 。
Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)
為防止mos管溫度超過Tmax，因此有如下公式：
Tmax=Rjc*P+TC.
MOS管的功耗主要來自于電流
P=I*I*Ron。
以NVMFS5C450NL為例：
當(dāng)TC=25度的時(shí)候:
Power Dissipation=68W.
THERMAL RESISTANCE=2.2.
Rjc*P+TC=2.2*68+25=174.6
器件最高工作溫度是175度，可見是相等的。
Continuous Drain Current=110A.
Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)
在175的時(shí)候?qū)娮?2.8*1.85=5.18。
I*I*RDS(on)=110*110*0.00518=62.678W。
Power Dissipation=68W.
這兩個(gè)數(shù)據(jù)也是很接近的。
TC,TA等于其他溫度的時(shí)候，這個(gè)關(guān)系也是可以驗(yàn)證的。
因此可以得出結(jié)論，mos管的最大電流，最大功耗，這些參數(shù)的意義，就是為了保證mos管的Junction溫度不超過最大限值。
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