晶體管與CMOS邏輯的接口

CMOS電路的最末級(jí)，通常是用顯現(xiàn)器顯現(xiàn)，或者介入繼電器控制大電流，或者向遠(yuǎn)處傳送信號(hào)等，很少?zèng)]有不借助晶體管的。

但是，在與這個(gè)晶體管接口時(shí)的困難不測(cè)地多。例如，由于與晶體管的基極連接的電阻過于小，從CMOS引出過大電流；或者電阻過大，使晶體管無法驅(qū)動(dòng)。

下面對(duì)各種場所與晶體管的接口作以說明。

(1)發(fā)射極接地NPN晶體管→CMOS：圖l3.35(a)一(c)示出同～電源下，Vcc>VDD，Vcc

(2)射極跟隨器NPN晶體管→CMOS：與(1)的情況相反，在“L”電平常容易混入噪聲，存在從“L”向“H”時(shí)容易產(chǎn)生延遲的缺陷。圖13.36(a)一(c)示出接口例。

(3)發(fā)射極接地PNP晶體管→CMOS：如圖13. 37(a)所示，在降落時(shí)有延遲，在“L”電平要留意噪聲。

(4)射極跟隨器PNP晶體管→CMOS:其例子示于圖13. 37(b)。與(3)的情況相反，上升時(shí)產(chǎn)生延遲，“H”電平抗噪聲才干弱。

mos管
mos管

(5)互補(bǔ)電路→CMOS：在(1)～(4)的電路中，當(dāng)晶體管個(gè)CMOS的布線變長時(shí)，在“H”或者“L”電平，噪聲容易混入，由于布線電容而增大延遲時(shí)間。由于這些缺陷，所以對(duì)布線的長度有限制。這種情況下，運(yùn)用圖13.38所示的互補(bǔ)電路使阻抗降落，關(guān)于改善噪聲和延遲時(shí)間有效果。
mos管