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led調(diào)光器,調(diào)光專用MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2024-06-17　

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led調(diào)光器,調(diào)光專用MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管


調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

調(diào)光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗等特性，滿足RoHs和綠色產(chǎn)品的要求，確保led調(diào)光器的性能穩(wěn)定可靠。


KIA4603A是高單元密度溝槽式N溝MOSFET，可提供出色的RDSON以及用于大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，封裝形式：SOP-8，體積小，散熱良好，使用方便。

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓：30V

漏極電流：7A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：14.5mΩ

柵源電壓：±20V

脈沖漏電流：35A

雪崩能量單脈沖：20MJ

總功耗：1.5W

總柵極電荷：6nC

輸入電容：583PF

輸出電容：77PF

開通延遲時(shí)間：1.2nS

關(guān)斷延遲時(shí)間：18nS

上升時(shí)間：40ns

下降時(shí)間：7.2ns


調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管

調(diào)光MOS管,KIA4603A場(chǎng)效應(yīng)管


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