25n06場效應(yīng)管參數(shù)代換,60V 25A,KIA30N06B參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-18
KIA30N06B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，RDS（開啟）=25mΩ@VDS=60V，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)下降以及100%EAS保證、綠色設(shè)備可用，穩(wěn)定可靠，能夠在各種應(yīng)用場景下發(fā)揮穩(wěn)定的作用；KIA30N06B能夠代換25n06場效應(yīng)管，在高頻負(fù)載點(diǎn)同步降壓變換器、聯(lián)網(wǎng)DC-DC電源系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)中應(yīng)用，封裝形式：TO-251、TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：25A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：25mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：50A
雪崩能量單脈沖：34.5MJ
總功耗：34.7W
總柵極電荷：12.56nC
輸入電容：1345PF
輸出電容：72.5PF
開通延遲時(shí)間：8nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：24.4nS
上升時(shí)間：14.2ns
下降時(shí)間：4.6ns
KIA30N06B是一款高性能的N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的RDSON和柵極電荷。KIA30N06B符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，全功能可靠性獲得批準(zhǔn)。
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