耗盡區(qū)寬度計(jì)算公式,耗盡區(qū)寬度與摻雜濃度關(guān)系-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-08-12
內(nèi)建電場(chǎng)公式:
對(duì)耗盡區(qū)電場(chǎng)進(jìn)行積分,可得到內(nèi)建電勢(shì)Vbi
對(duì)于單邊突變結(jié),PN結(jié)一側(cè)的摻雜濃度遠(yuǎn)高于另一側(cè)時(shí),如P+N結(jié)
耗盡層主要分布在低摻雜一側(cè),同時(shí)內(nèi)建電場(chǎng)峰值取決于低摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度。
?耗盡區(qū)寬度與摻雜濃度的關(guān)系是:高摻雜濃度導(dǎo)致耗盡區(qū)寬度變窄,而低摻雜濃度則導(dǎo)致耗盡區(qū)寬度變寬。
原理主要涉及到半導(dǎo)體物理中的擴(kuò)散和漂移現(xiàn)象,以及它們?nèi)绾斡绊懞谋M區(qū)的形成。
擴(kuò)散與漂移現(xiàn)象:
在半導(dǎo)體中,摻雜是指通過(guò)引入雜質(zhì)原子來(lái)改變材料的導(dǎo)電性質(zhì)。這些雜質(zhì)原子可以提供額外的電荷載體(電子或空穴),從而影響材料的導(dǎo)電性。
擴(kuò)散是指電荷載體(電子或空穴)從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的運(yùn)動(dòng)。在?PN結(jié)中,這種擴(kuò)散作用會(huì)導(dǎo)致耗盡區(qū)的形成。
漂移則是指電荷載體在電場(chǎng)作用下的定向運(yùn)動(dòng)。在耗盡區(qū)內(nèi),由于存在內(nèi)建電場(chǎng),少數(shù)載流子(電子或空穴)會(huì)受到電場(chǎng)的作用而發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)。
耗盡區(qū)寬度的變化:
當(dāng)摻雜濃度較高時(shí),單位長(zhǎng)度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更多,離子數(shù)量也更多。這使得在較少的單位長(zhǎng)度內(nèi)就能建立起“一定強(qiáng)度的內(nèi)電場(chǎng)”,使得PN結(jié)進(jìn)入動(dòng)態(tài)平衡階段(寬度不再發(fā)生變化),因此耗盡區(qū)寬度變窄。
相反,當(dāng)摻雜濃度較低時(shí),單位長(zhǎng)度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更少,離子數(shù)量也更少。這需要更多的單位長(zhǎng)度才能建立起相同的內(nèi)電場(chǎng),使得PN結(jié)進(jìn)入動(dòng)態(tài)平衡階段,因此耗盡區(qū)寬度變寬。
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