三極管反向擊穿電壓,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管

三極管反向擊穿電壓

三極管由三個(gè)區(qū)域組成：n型區(qū)（發(fā)射極）、p型區(qū)(基極）和n型區(qū)（集電極）。其中，發(fā)射極和集電極之間的電流放大作用是三極管的主要特性。當(dāng)電壓達(dá)到一定值時(shí)，三極管會(huì)出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象，導(dǎo)致電流急劇增大，可能損壞電路。

反向擊穿電壓是指在反向電壓作用下，半導(dǎo)體材料中的電子空穴對(duì)被拉出，形成電流，從而導(dǎo)致器件損壞的電壓。對(duì)于三極管而言，由于其內(nèi)部存在兩個(gè)p-n結(jié)（發(fā)射結(jié)和集電結(jié))，因此它有三個(gè)反向擊穿電壓：BVCEO（集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓）、BVCBO（集電極-基極反向擊穿電壓）和BVEBO（發(fā)射極-基極反向擊穿電壓）。

在三極管的三個(gè)反向擊穿電壓中，BVCEO是最大的，因?yàn)樗鼪Q定了三極管的耐壓值。一般來(lái)說(shuō)，BVCEO在20V以上，甚至可以達(dá)到10O0V或更高。BVCBO次之，通常在50V至100V之間。而B(niǎo)VEBO最小，一般不超過(guò)20V。這是因?yàn)樵谌龢O管工作時(shí)，發(fā)射結(jié)通常處于正偏狀態(tài)，而基極的電流較小，所以發(fā)射極-基極之間的反向擊穿電壓要求相對(duì)較低。

三個(gè)反向擊穿電壓的關(guān)系

BVcbo>BVceo>BVebo

首先三極管工作時(shí)其發(fā)射結(jié)一般處于正偏狀態(tài)，故BVebo反向擊穿電壓要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。

其次，反向擊穿主要是漏電流引起的。集電極-基極漏電流Icbo經(jīng)過(guò)β倍放大后成為集電極-發(fā)射極漏電流Iceo，故Iceo=βIcbo，而B(niǎo)Vceo就小于BVcbo。

測(cè)試三極管反向擊穿電壓的方法

使用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量，具體操作時(shí)將萬(wàn)用表調(diào)至合適的檔位(如10K或100K),然后將紅表筆接在發(fā)射極，黑表筆接在集電極或基極。

如果測(cè)量的是BVCEO，那么需要將萬(wàn)用表的正極接觸到集電極，負(fù)極接觸到發(fā)射極；如果測(cè)量的是BVCB0，那么需要將萬(wàn)用表的正極接觸到集電極，負(fù)極接觸到基極；如果測(cè)量的是BVEBO，那么需要將萬(wàn)用表的正極接觸到發(fā)射極，負(fù)極接觸到基極。

在測(cè)試過(guò)程中，如果三極管出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，萬(wàn)用表上的指針會(huì)突然擺動(dòng)到最大值，這樣就可以判斷出三極管的反向擊穿電壓。

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