mos管的封裝類(lèi)型有哪些？-KIA MOS管

mos管的封裝類(lèi)型

按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類(lèi)：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

插入式是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)三種樣式。

表面貼裝是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)、方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線(xiàn)芯片載體(PLCC)等。

隨著技術(shù)的發(fā)展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來(lái)越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。

1、雙列直插式封裝(DIP)

DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線(xiàn)封裝，較DIP的針腳密度高6倍。

DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線(xiàn)框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。DIP封裝的特點(diǎn)是可以很方便地實(shí)現(xiàn)PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。

但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過(guò)程中很容易被損壞，可靠性較差；同時(shí)由于受工藝的影響，引腳一般都不超過(guò)100個(gè)，因此在電子產(chǎn)業(yè)高度集成化過(guò)程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺(tái)。

2、晶體管外形封裝(TO)

屬于早期的封裝規(guī)格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。

TO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

TO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時(shí)不必加絕緣墊；TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時(shí)要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀(guān)差不多，可以互換使用。

TO-251：該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。

TO-92：該封裝只有低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。

近年來(lái)，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場(chǎng)需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。TO-252(又稱(chēng)之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。

TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。

采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。

其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過(guò)PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極(D)焊盤(pán)較大。

TO-263是TO-220的一個(gè)變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì)，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見(jiàn)。

除了D2PAK(TO-263AB)之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關(guān)系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。

3、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)

PGA(Pin Grid Array Package)芯片內(nèi)外有多個(gè)方陣形的插針，每個(gè)方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據(jù)管腳數(shù)目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時(shí)，將芯片插入專(zhuān)門(mén)的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢(shì)，能適應(yīng)更高的頻率。

其芯片基板多數(shù)為陶瓷材質(zhì)，也有部分采用特制的塑料樹(shù)脂來(lái)做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447不等。

這種封裝的特點(diǎn)是，封裝面積(體積)越小，能夠承受的功耗(性能)就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見(jiàn)，且多用于CPU等大功耗產(chǎn)品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式；不大為MOS管廠(chǎng)家所采納。

4、小外形晶體管封裝(SOT)

SOT(Small Out-Line Transistor)是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等類(lèi)型，體積比TO封裝小。

SOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發(fā)射極和基極，分別列于元件長(zhǎng)邊兩側(cè)，其中，發(fā)射極和基極在同一側(cè)，常見(jiàn)于小功率晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管和帶電阻網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合晶體管，強(qiáng)度好，但可焊性差，外形如下圖(a)所示。

SOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側(cè)，另外一側(cè)為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見(jiàn)于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場(chǎng)合，外形如下圖(b)所示。

SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側(cè)引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類(lèi)封裝常見(jiàn)于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。

SOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側(cè)引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片，外形如下圖(d)所示。

5、小外形封裝(SOP)

SOP(Small Out-Line Package)是表面貼裝型封裝之一，也稱(chēng)之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。

SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，簡(jiǎn)寫(xiě)為SO(Small Out-Line)。

SO-8為PHILIP公司率先開(kāi)發(fā)，采用塑料封裝，沒(méi)有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。

后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格；其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。

6、方形扁平式封裝(QFP)

QFP(Plastic Quad Flat Package)封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般在大規(guī)?；虺笮图呻娐分胁捎?，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。

用這種形式封裝的芯片必須采用SMT表面安裝技術(shù)將芯片與主板焊接起來(lái)。

該封裝方式具有四大特點(diǎn)：

適用于SMD表面安裝技術(shù)在PCB電路板上安裝布線(xiàn)；

適合高頻使用；

操作方便，可靠性高；

芯片面積與封裝面積之間的比值較小。

與PGA封裝方式一樣，該封裝方式將芯片包裹在塑封體內(nèi)，無(wú)法將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量及時(shí)導(dǎo)出，制約了MOSFET性能的提升；而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導(dǎo)體向輕、薄、短、小方向發(fā)展的要求；另外，此類(lèi)封裝方式是基于單顆芯片進(jìn)行，存在生產(chǎn)效率低、封裝成本高的問(wèn)題。

因此，QFP更適于微處理器/門(mén)陳列等數(shù)字邏輯LSI電路采用，也適于VTR信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI電路產(chǎn)品封裝。

7、四邊無(wú)引線(xiàn)扁平封裝(QFN)

QFN(Quad Flat Non-leaded package)封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線(xiàn)，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點(diǎn)；其中陶瓷QFN也稱(chēng)為L(zhǎng)CC(Leadless Chip Carriers)，采用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱(chēng)為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

是一種焊盤(pán)尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。

QFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會(huì)采用。不過(guò)因Intel提出整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝(“56”指芯片背面有56個(gè)連接Pin)的DrMOS。

需要說(shuō)明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線(xiàn)配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據(jù)QFN建模數(shù)據(jù)，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點(diǎn)則是返修難度高。

傳統(tǒng)的分立式DC/DC降壓開(kāi)關(guān)電源無(wú)法滿(mǎn)足對(duì)更高功耗密度的要求，也不能解決高開(kāi)關(guān)頻率下的寄生參數(shù)影響問(wèn)題。

隨著技術(shù)的革新與進(jìn)步，把驅(qū)動(dòng)器和MOSFET整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)，這種整合方式同時(shí)可以節(jié)省相當(dāng)可觀(guān)的空間從而提升功耗密度，通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動(dòng)IC的DrMOS。

經(jīng)過(guò)QFN-56無(wú)腳封裝，讓DrMOS熱阻抗很低；借助內(nèi)部引線(xiàn)鍵合以及銅夾帶設(shè)計(jì)，可最大程度減少外部PCB布線(xiàn)，從而降低電感和電阻。

另外，采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實(shí)現(xiàn)不同的工作模式，支持主動(dòng)相變換模式APS(Auto Phase Switching)。

除了QFN封裝外，雙邊扁平無(wú)引腳封裝(DFN)也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。

8、塑封有引線(xiàn)芯片載體(PLCC)

PLCC(Plastic Quad Flat Package)外形呈正方形，尺寸比DIP封裝小得多，有32個(gè)引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。

其引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84不等，J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀(guān)檢查較為困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線(xiàn)，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。

PLCC封裝是比較常見(jiàn)，用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路，主板BIOS常采用的這種封裝形式，不過(guò)目前在MOS管中較少見(jiàn)。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。