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20N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA20N50 PDF 20N50參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)

信息來(lái)源：本站　日期：2018-01-19　

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KIA20n50h N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。

產(chǎn)品型號(hào)：KIA 20N50

漏極至源極電壓（VDSS）：500V

柵源電壓（VGSS）：±30V

漏極電流（連續(xù)）（lD）：20A

耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃

工作溫度：+150/℃

擊穿電壓溫度：0.5V/℃

輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升時(shí)間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω

封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P

RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

	20N50（20A 500V）
產(chǎn)品編號(hào)	KIA20N50/C/HF/HH/HM
產(chǎn)品工藝	kia20n50h N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。
溝道	N溝道MOSFET
特征	RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高電壓，高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正
封裝形式	TO-220F、TO-247、TO-3P
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
廠家	KIA 原廠家
LOGO
網(wǎng)址	www.bs126.com
PDF總頁(yè)數(shù)	總5頁(yè)數(shù)