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65N06現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA65N06 PDF文件下載 65A、60V-65N06-KIA 官網(wǎng)

信息來(lái)源：本站　日期：2018-01-29　

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KIA65N06參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用起亞的專(zhuān)有的，平面條形DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于低電壓應(yīng)用，如汽車(chē)，DC /直流轉(zhuǎn)換器，高效的電源管理開(kāi)關(guān)在便攜式和電池供電產(chǎn)品。這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用的是起亞的專(zhuān)有的，平面條形DMOS工藝制作。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，并能承受高能量脈沖。

在雪崩和換相模式下。這些設(shè)備非常適合于低電壓應(yīng)用，如汽車(chē)，DC / DC轉(zhuǎn)換器，以及高效率的開(kāi)關(guān)電源管理便攜式和電池供電的產(chǎn)品。

特征

65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10V

低柵極電荷（典型的48nc）

Low Crss（典型的32.5pf）

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dt／dt能力

175o最高結(jié)溫度等級(jí)

產(chǎn)品型號(hào)：KIA65N06

工作方式：65A /60V

漏源電壓：60V

柵源電壓：±20V

雪崩能量：650mJ

耗散功率：150W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：60V

溫度系數(shù)：0.7V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：200 PF

輸出電容：450 PF

上升時(shí)間：33 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-263

	KIA65N06（65A/60V)）
產(chǎn)品編號(hào)	KIA65N06/AB
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用起亞的專(zhuān)有的，平面條形DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于低電壓應(yīng)用，如汽車(chē)，DC /直流轉(zhuǎn)換器，高效的電源管理開(kāi)關(guān)在便攜式和電池供電產(chǎn)品。
產(chǎn)品特征	65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10 V 低柵極電荷（典型的48nc） Low Crss（典型的32.5pf）快速切換 100%雪崩測(cè)試改進(jìn)的dt／dt能力 175o最高結(jié)溫度等級(jí)
適用范圍	主要適用于低電壓應(yīng)用，如汽車(chē)，DC /直流轉(zhuǎn)換器，高效的電源管理開(kāi)關(guān)在便攜式和電池供電產(chǎn)品。這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用的是起亞的專(zhuān)有的，平面條形DMOS工藝制作。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，并能承受高能量脈沖。在雪崩和換相模式下。這些設(shè)備非常適合于低電壓應(yīng)用，如汽車(chē)，DC / DC轉(zhuǎn)換器，以及高效率的開(kāi)關(guān)電源管理便攜式和電池供電的產(chǎn)品。
封裝形式	TO-220、TO-220F、TO-263
PDF文件	【直接在線(xiàn)預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.kiaic.com
PDF總頁(yè)數(shù)	總7頁(yè)數(shù)