123,123,123

7N80現(xiàn)貨供應商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下載 -KIA 官網(wǎng)

信息來源：本站　日期：2018-01-30　

分享到：

KIA7N80參數(shù)

功率MOSFET采用SL半平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。

開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。器件非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。

KIA7N80特征

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的27nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

產品型號：KIA7N80

工作方式：7A/800V

漏源電壓：800V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：7.0A

脈沖漏極電流：28A

雪崩能量：650mJ

耗散功率：167W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：800V

溫度系數(shù)：1V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：1300 PF

輸出電容：120 PF

上升時間：100 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F

	KIA7N80（7A/800V）
產品編號	KIA7N80/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET采用SL半平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。
產品特征	RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的27nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關模式電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋拓撲
封裝形式	TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.bs126.com
PDF頁總數(shù)	總6頁