KIA18N20參數(shù)指標(biāo)

RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V

通過無鉛認(rèn)證

低電阻

低柵極電荷

峰值電流與脈寬曲線

應(yīng)用

電視/顯示器

其他應(yīng)用

KIA18N20參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA18N20

工作方式：18A/200V

漏源電壓：200V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：18A

脈沖漏極電流：6A

雪崩電流：8A

雪崩能量：950mJ

耗散功率：156W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：200V

溫度系數(shù)：0.25V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1140PF

輸出電容：80PF

上升時間：33 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F

	KIA18N20/AF/AP
產(chǎn)品編號	KIA18N20（18A200V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征	RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V 通過無鉛認(rèn)證低電阻低柵極電荷峰值電流與脈寬曲線
適用范圍	主要適用于電視/顯示器、其他應(yīng)用
封裝形式	TO-220、TO-220F
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.bs126.com
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