28N50現(xiàn)貨供應商 KIA28N50-28A500V PDF文件 4360參數(shù)詳細資料-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-09
這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
KIA28N50特征
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的102nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA28N50參數(shù)
產(chǎn)品型號：KIA28N50
工作方式：28A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：28A
脈沖漏極電流：112A
雪崩能量：1960mJ
耗散功率：479W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：4085 PF
輸出電容：474 PF
上升時間：87ns
封裝形式：TO-3P
 |
KIA28N50 |
| 產(chǎn)品編號 | KIA28N50（28A500V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的102nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.bs126.com |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
關注「KIA半導體」，做優(yōu)秀工程師！
長按二維碼識別關注
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯
