廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

KIA8606現(xiàn)貨供應商 KIA8606 PDF文件下載 35A60V參數(shù)詳細資料-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-16 

分享到:

KIA8606參數(shù)指標

8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優(yōu)良的導通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產(chǎn)品要求,100%個功能齊全的可靠性認證。


KIA8606特征

超低柵電荷

100% EAS保證

優(yōu)良的CDV / dt效應DES線

綠色的可用設備

先進的高密度溝槽技術


KIA8606參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA8606

工作方式:35A/60V

漏源電壓:60V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):35A

脈沖漏極電流:80A

雪崩電流:28A

雪崩能量:39.2A

耗散功率:45W

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:60V

溫度系數(shù):0.057V

柵極閾值電壓:1.2V

輸入電容:2423 PF

輸出電容:145 PF

上升時間:50ns

封裝形式:TO-251



KIA8606
產(chǎn)品編號 KIA8606(35A 60V
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 8606高細胞密度的N溝道MOSFET溝道與提供優(yōu)良的導通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應用的柵電荷。kia8606符合ROHS和綠色產(chǎn)品要求,100%個功能齊全的可靠性認證。
產(chǎn)品特征

超低柵電荷

100% EAS保證

優(yōu)良的CDV / dt效應DES線

綠色的可用設備

先進的高密度溝槽技術

封裝形式 TO-251
PDF文件 【直接在線預覽】
LOGO
廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.bs126.com
PDF總頁數(shù) 總5頁

聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。

關注「KIA半導體」,做優(yōu)秀工程師!

長按二維碼識別關注

閱讀原文可一鍵關注+技術總匯