KIA4820參數(shù)指標

KIA4820增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。

2、特征

專有的新平面技術

RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷減少開關損耗

快速恢復體二極管

3、參數(shù)指標

產(chǎn)品型號：KIA4820

工作方式：9A/200V

漏源電壓：200V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：9A

脈沖漏極電流：36A

雪崩能量：300m

耗散功率：83W

熱電阻：75℃/W

漏源擊穿電壓：200V

柵極閾值電壓：1.0V

輸入電容：418 PF

輸出電容：94 PF

上升時間：6.0 ns

封裝形式：TO-220、TO-252

	KIA4820
產(chǎn)品編號	KIA4820（9A 200V）
產(chǎn)品工藝	KIA4820b增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
產(chǎn)品特征	專有的新平面技術 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門電荷減少開關損耗快速恢復體二極管
適用范圍	主要適用于高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
封裝形式	TO-220、TO-252
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.bs126.com
PDF總頁數(shù)	總8數(shù)