KND4820B現(xiàn)貨供應商 KND4820B PDF文件下載 9A 200V參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-03-08
1、應用
KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
2、特征
專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
3、產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號：KND4820B
工作方式：9A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83V
熱電阻：75℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：418PF
輸出電容：94PF
上升時間：6.0ns
封裝形式：TO-251、TO-252
4、產(chǎn)品規(guī)格
 |
KND4820B |
| 產(chǎn)品編號 | KND4820B 9A/200V |
| 產(chǎn)品特征 |
專有的新平面技術 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門電荷最小化開關損耗 快速恢復體二極管 |
| 適用范圍 |
高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.bs126.com |
| PDF總頁數(shù) | 總8頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
關注「KIA半導體」，做優(yōu)秀工程師！
長按二維碼識別關注
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯
