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6165A現(xiàn)貨供應商 KIA6165A 10A/650V PDF文件下載-KIA 官網(wǎng)

信息來源：本站　日期：2018-03-15　

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1、KNX6165A產品描述

KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器

2、KNX6165A產品特征

符合RoHS

RDS（ON），典型值= 0.6Ω@ VGS=10v

低門電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管

3、KNX6165A產品參數(shù)

產品型號：KNX6165A

工作方式：10A/650V

漏源電壓：650V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：10A

脈沖漏極電流：40A

雪崩能量：800mJ

耗散功率：216W

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：650V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1554PF

輸出電容：153PF

上升時間：31ns

封裝形式：TO-220、220F

4、KNX6165A產品規(guī)格

	KNX6165A
產品編號	KNX6165A 10A/650V
產品特征	符合RoHS RDS（ON），典型值= 0.6Ω@ VGS=10v 低門電荷最小化開關損耗快速恢復體二極管
產品描述	KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
封裝形式	TO-220、220F
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.bs126.com
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