12N60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-12N60C引腳圖 12A 600V PDF文件-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-06-07
N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，如高效率開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器等
12N60H PEF文件下載
RDS（on）=0.53@VGS=10V
低柵電荷（典型的52nC）
快速交換能力
雪崩能量指定值
改進(jìn)的dv/dt能力
G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極
MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。
產(chǎn)品型號(hào)：KIA12N60H
工作方式：12A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：12A
脈沖漏極電流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：231W
熱電阻：62.5℃/V
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數(shù)：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850PF
輸出電容：180PF
上升時(shí)間：90ns
封裝形式：TO-220、220F
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
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