光耦驅動mos管電路詳解-光耦對mos驅動電流計算三種方式-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-06-11
在光耦驅動的電路中，針對MOS管的驅動電流是需要特別進行估算的．—般常用的估算方式，將對光耦mos管估算方式進行介紹．并對每種估算方式進行講解
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS導通延遲時間，從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。
Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
密勒效應時間（開關時間）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS柵極驅動電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅動電壓；
以一個實際MOS管為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應）假定你希望在0.2us內使管子開通，估計總時間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開通和關短的各0.2us里有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅動芯片不能輸出這個峰值，管子的開通就會變慢。
這3種目前較為常見的對于光耦應用中MOS管進行估算的方法。每種方法都有其自身的特點，根據不同的情況，設計者可以根據公式或曲線模式來對MOS管的取值進行估算。
Form A=常開觸點
Form B=常閉觸點
Form C=轉換觸點
Form E=雙穩(wěn)態(tài)開關
AT=安培匝數用于描述磁場靈敏度的參數
NC是常閉觸點（正常閉合）
NO是常開觸點（常開）
無觸點，因此沒有觸點的磨損，使用壽命是無限的；
無震動和彈跳；防震，抗摔性；
無動作聲音；
小體積（有直插和貼片兩種封裝），高信賴性；
AC/DC兼用；
高速切換；
低放電電壓；
低動作電流（省電流）；
低開路時的漏電電流；
輸入與輸出間完全絕緣；
可控制各種負載（繼電器、電燈、發(fā)光二極管、加熱器、馬達、電磁吸筒等）。
光耦繼電器是沒有壽命的，發(fā)光二極管導通截止，接收二極管導通截止，不會因為老化而壞掉。因此光耦繼電器適用于反復需要開關的領域。
光耦繼電器還有一個優(yōu)點就是沒響聲，不會咔嚓咔嚓響
繼電器觸點類型有：1常開、1常閉、1開1閉、2常開、2常閉…..
總之很多很多，按需求選擇。
其實光耦繼電器按輸出結構也可以分為MOS(場效應管)輸出或SCR(可控硅整流管)輸出。
MOS輸出的負載電流比較小(通常幾百mA)，而如果是SCR輸出的負載電流比較大(能達到幾mA)
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