MOS管工作原理視頻-MOS管工作原理高清視頻-在線觀看-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-06-22
金屬氧化物半導體場效應晶體管，有增強型跟耗盡型的區(qū)分，但是由于本人沒見過耗盡型的mos管，所以直接忽略，需要可自行查閱這兩者的區(qū)分。
MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
備注：這是設計時候比較重要的值，一般開啟電壓是個范圍，我們要盡量保證電壓大于這個范圍。（后續(xù)會推出一個實例）
在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
備注：我們所加的Vgs不能大于 BVGS
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內
備注：此值在PWM開關管中尤為重要，會影響較多參數(shù)，一般mos管的發(fā)熱也跟該參數(shù)有較大關系。
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容Cgs 、柵漏電容Cgd和漏源電容Cds
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