場效應(yīng)管參數(shù)手冊大全-場效應(yīng)管型號用途參數(shù)查詢手冊-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-06-28
型號
封裝
材料
用途
參數(shù)
KIA9N90H
TO-247
NMOS
逆變器
9A/900V
KIA9N90H
TO-220F
NMOS
安定器
9A/900V
KIA6110A
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
12A/100V
KIA100N03A
TO-263
NMOS
保護(hù)器
90A/30V
KIA10N80H
TO-220F
NMOS
逆變器
10A/80V
KIA4N60H
TO-220F
NMOS
逆變器
4A/600V
KIA4N60H
TO-262
NMOS
充電器
4A/600V
KIA13N50H
TO-263
NMOS
開關(guān)電源
13A/500V
KIA24N50H
TO-3P
NMOS
逆變器
20A /500V
KIA1N65H
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
2A/600V
KIA20N50H
TO-220F
NMOS
逆變器
20A/500V
KIA2N60H
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
20A/600V
KIA2N65H
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
2A/650V
KIA28N50H
TO-3P
NMOS
開關(guān)電源
28A/500V
KIA75NF75
TO-263
NMOS
電動(dòng)車
75A/75V
KIA2803A
TO-263
NMOS
保護(hù)器
150A/30V
KIA1N60H
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
1A/600V
KIA4360A
TO-252
NMOS
開關(guān)電源
4A/650V
KIA16N50H
TO-247
NMOS
開關(guān)電源
16A/500V
KIA2N60H
TO-220F
NMOS
開關(guān)電源
2A/600V
KIA3N80H
TO-220F
NMOS
開關(guān)電源
3A/800V
KIA10N60H
TO-220F
NMOS
開關(guān)電源
9.5A/600V
KIA23P10A
TO-252
PMOS
報(bào)警器
-23A/-100V
KIA40N20A
TO-3P
NMOS
逆變器
40A /200V
KIA2806A
TO-3P
NMOS
逆變器
160A/60V
KIA4N60H
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
4A/600V
KIA4N65H
TO-251
NMOS
開關(guān)電源
4A /650V
KIA20N40H
TO-3P
NMOS
逆變器
20A/400V
KIA18N20A
TO-220F
NMOS
開關(guān)電源
18A/200V
KIA9N90H
TO-3P
NMOS
逆變器
9A/900V
KIA10N80H
TO-3P
NMOS
逆變器
50A/60V
KIA16N50H
TO-3P
NMOS
開關(guān)電源
16A/500V
KIA50N06
TO-220F
NMOS
逆變器
50A/60V
KIA1N60H
TO-252
NMOS
開關(guān)電源
1A/600V
KIA5N50HD
TO-252
NMOS
安定器
5A/500V
KIA830S
TO-252
NMOS
安定器
5A/550V
KIA18N50H
TO-247
NMOS
逆變器
18A/500V
KIA24N50H
TO-247
NMOS
逆變器
24A/500V
KIA28N50H
TO-247
NMOS
逆變器
28A/500V
KIA4N60H
TO-252
NMOS
開關(guān)電源
4A/600V
KIA3510A
TO-263
NMOS
安定器
75A /100V
KIA35P10A
TO-252
PMOS
報(bào)警器
-35A/-100V
KIA7N60H
TO-263
NMOS
開關(guān)電源
7A/600V
KIA7N65H
TO-263
NMOS
開關(guān)電源
7A/650V
KIA840S
TO-263
NMOS
安定器
8A/500V
KIA4750S
TO-252
NMOS
安定器
9A/500V
KIA20N50H
TO-3P
NMOS
開關(guān)電源
20A/500V
KIA28N50H
TO-247
NMOS
逆變器
28A/500V
1、負(fù)載電流IL
它直接決議于MOSFET的輸出才能；
2、輸入—輸出電壓
它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制；
3、MOS開關(guān)頻率FS
這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開關(guān)霎時(shí)的耗散功率；
4、MOSFET最大允許工作溫度
要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的;
一旦系統(tǒng)的工作條件（負(fù)載電流，開關(guān)頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下：
1 、RDSON的值
最低的導(dǎo)通電阻，能夠減小損耗，并讓系統(tǒng)較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。
2、 散熱
假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運(yùn)用外表貼裝MOSFET到達(dá)同樣效果，詳見下文第15行。
3 、MOSFET組合
假如板上空間允許，有時(shí)分，能夠用兩個(gè)較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢較低。
1.夾斷電壓Up
在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個(gè)微小電流值(幾微安)時(shí)，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結(jié)型場效應(yīng)管及耗盡型絕緣柵型場效應(yīng)管。
2. 開啟電壓UT
在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導(dǎo)電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強(qiáng)型絕緣柵型場效應(yīng)管。
3. 飽和電流IDSS
在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時(shí)的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場效應(yīng)管。
4. 直流輸入電阻RGS
在場效應(yīng)管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場效應(yīng)管的直流輸入電阻比結(jié)型場效應(yīng)管大兩個(gè)數(shù)量級以上。結(jié)型場效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源擊穿電壓BVDS
在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場效應(yīng)管的使用電壓。
6. 柵源擊穿電壓BVGS
對結(jié)型場效應(yīng)管來說，反向飽和電流開始劇增時(shí)的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對于絕緣柵型場效應(yīng)管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。
1、極限參數(shù)
ID :最大漏源電流.是指場效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
IDM :最大脈沖漏源電流.體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系，此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
PD :最大耗散功率.是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不?。?/span>
VGS :最大柵源電壓.，一般為：-20V~+20V
Tj :最大工作結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個(gè)溫度,并留有一定裕量. （此參數(shù)靠不住）
TSTG :存儲(chǔ)溫度范圍。
2、靜態(tài)參數(shù)
V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0 時(shí),場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負(fù)壓更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),一般為 0.1V/ ℃.
RDS(on) :在特定的 VGS (一般為 10V )、結(jié)溫及漏極電流的條件下, MOSFET 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗.它是一個(gè)非常重要的參數(shù),決定了 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的消耗功率.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算.
VGS(th) :開啟電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS超過 VGS(th) 時(shí),漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道.應(yīng)用中,常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低.
IDSS :飽和漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時(shí)的漏源電流.一般在微安級.
IGSS :柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 一般在納安級.
常用場效應(yīng)管參數(shù)手冊大全
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)） di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)） dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)） ID---漏極電流（直流）
IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態(tài)漏極電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管） IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流） IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開路時(shí)，截止柵電流
IGSO---漏極開路時(shí)，截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)） gfs---正向跨導(dǎo)
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導(dǎo)
gds---漏源電導(dǎo)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
Ku---傳輸系數(shù)
L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)） RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)） to(on)---開通延遲時(shí)間
td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間
ti---上升時(shí)間
ton---開通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tf---下降時(shí)間
trr---反向恢復(fù)時(shí)間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓（直流）
VGS---柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
V（BR）DSS---漏源擊穿電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數(shù)
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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