KIA6706A 6706A中文資料 6706A引腳圖 6706A電路原理 KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2018-06-28
KIA6706A是一種高細胞密度溝槽N-ch MOSFETs,它提供了優(yōu)良的RDSON和門電荷為大多數(shù)同步降壓變換器的應用。KIA6706A滿足碳氫化合物和綠色產(chǎn)品要求。
?
RDS(on)=7.5mΩ(鍵入)@VGS=10V
超低門電荷
綠色設(shè)備可用
Cdv/dt效應下降
先進的高密度槽道技術(shù)
產(chǎn)品型號:KIA6706A
工作方式:18A/60V
漏源電壓:60V
柵源電壓:±20A
漏電流連續(xù):18A
脈沖漏極電流:75A
雪崩電流:40A
雪崩能量:80mJ
耗散功率:2.7W
熱電阻:45℃/V
漏源擊穿電壓:60V
柵極閾值電壓:1.2V
輸入電容:3307PF
輸出電容:201PF
上升時間:41.2ns
封裝形式:SOP-8
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助