OVP 全稱 Overvoltage Protection,即過壓保護(hù),當(dāng)電壓超過預(yù)設(shè)水平時(shí)關(guān)閉電源...OVP 全稱 Overvoltage Protection,即過壓保護(hù),當(dāng)電壓超過預(yù)設(shè)水平時(shí)關(guān)閉電源或暫停輸出,對(duì)后級(jí)電路起到了保護(hù)作用,避免因輸入電壓過高導(dǎo)致后級(jí)電路損壞。應(yīng)用于...
SGND(信號(hào)地)對(duì)應(yīng)兩塊芯片亦或模塊間的通信信號(hào)回流所流過的路徑;電源地對(duì)應(yīng)...SGND(信號(hào)地)對(duì)應(yīng)兩塊芯片亦或模塊間的通信信號(hào)回流所流過的路徑;電源地對(duì)應(yīng)電源回路電流的路徑。 SGND(信號(hào)地)通常是傳感器的地。通常SGND(信號(hào)地)和GND...
mos管的三個(gè)工作狀態(tài): 截止?fàn)顟B(tài):當(dāng)VGS(柵源電壓)小于VGS(TH)(閾值電壓)...mos管的三個(gè)工作狀態(tài): 截止?fàn)顟B(tài):當(dāng)VGS(柵源電壓)小于VGS(TH)(閾值電壓)時(shí),MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí),漏極電流ID很小,相當(dāng)于管子不導(dǎo)通。
KIA3204A場(chǎng)效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計(jì),漏源擊穿電壓40V,漏極電流100A,超低...KIA3204A場(chǎng)效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計(jì),漏源擊穿電壓40V,漏極電流100A,超低導(dǎo)通電阻,RDS(開啟)=3.8 mΩ@VGS=10V,減小損耗;100%雪崩測(cè)試、無鉛和綠色器件可...
以此作為單結(jié)晶體管電源,其目的是使單結(jié)晶體管振蕩器在每個(gè)梯形波結(jié)束時(shí)刻,由...以此作為單結(jié)晶體管電源,其目的是使單結(jié)晶體管振蕩器在每個(gè)梯形波結(jié)束時(shí)刻,由于電源電壓為零,使電容上電壓亦為零,在下一個(gè)梯形波開始時(shí)刻,電容c均是從零壓開...
單結(jié)晶體管(UJT)又稱基極二極管,只有一個(gè)PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個(gè)基極的三端...單結(jié)晶體管(UJT)又稱基極二極管,只有一個(gè)PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個(gè)基極的三端半導(dǎo)體器件,早期稱為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個(gè)均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶...