KIA30N03B采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),性能出色,漏源擊穿電壓30V,漏極電流...KIA30N03B采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),性能出色,漏源擊穿電壓30V,漏極電流30A,超低柵極電荷RDS(開啟)=15m?@VDS=30V,減小損耗;具有出色的Cdv/dt效應(yīng)下降...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管KNK7880A漏源擊穿電壓高達(dá)800V,漏極電流27A,RDS (on) = 280mΩ...電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管KNK7880A漏源擊穿電壓高達(dá)800V,漏極電流27A,RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V,低柵極電荷最小化開關(guān)損耗;該器件采用先進(jìn)平面工藝,高效率低損耗...
電源專用mos管KIA2806A漏源擊穿電壓60V,漏極電流150A,低RDS(ON)=3.5 m?(...電源專用mos管KIA2806A漏源擊穿電壓60V,漏極電流150A,低RDS(ON)=3.5 m?(典型值)@VGS=10V,減小損耗,提高效率;100%雪崩測(cè)試,可靠且堅(jiān)固;提供無鉛和綠色...
KNP2908B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓80V,漏極電流130A,提供優(yōu)異的RDS(...KNP2908B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓80V,漏極電流130A,提供優(yōu)異的RDS(ON)=5.0mΩ(典型值)@VGS=10V,低柵極電荷,低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計(jì)、完全表...
KCX3310A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的SGT技術(shù),漏源擊穿電壓100V,漏極電流85A;低導(dǎo)通電...KCX3310A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的SGT技術(shù),漏源擊穿電壓100V,漏極電流85A;低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通)僅為5mΩ,極低的開關(guān)損耗,具有低RDS(開啟)和FOM、卓越的穩(wěn)定性和...
KIA40N20A漏源擊穿電壓200V,漏極電流40A,RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V,...KIA40N20A漏源擊穿電壓200V,漏極電流40A,RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V,具有快速切換、低電阻、低柵極電荷特性,符合RoHS,高效率低損耗、穩(wěn)定可靠,適用于...