KCT1810A功率MOSFET采用先進(jìn)的SGT技術(shù),漏源擊穿電壓100V,漏極電流240A,極低...KCT1810A功率MOSFET采用先進(jìn)的SGT技術(shù),漏源擊穿電壓100V,漏極電流240A,極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟)典型值=1.6mΩ@VGS=10V,減小損耗;具有優(yōu)秀的柵極電荷x RDS(...
逆變器的工作原理就是一個低壓直流轉(zhuǎn)換為高壓交流的過程;逆變器作為電力電子裝...逆變器的工作原理就是一個低壓直流轉(zhuǎn)換為高壓交流的過程;逆變器作為電力電子裝置中的關(guān)鍵組件,扮演著將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的角色,這一過程對于諸如太陽能發(fā)電系...
電機控制器專用mos管KNP2904A漏源擊穿電壓40V,漏極電流130A,極低的導(dǎo)通電阻R...電機控制器專用mos管KNP2904A漏源擊穿電壓40V,漏極電流130A,極低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)=2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,減小損耗、提高效率;具有低Crss、快速切換、1...
KNP2906B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,其RDS(開)典型值為4.6mΩ@...KNP2906B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,其RDS(開)典型值為4.6mΩ@VGS=10V,低柵極電荷(典型值為148nC),具有高堅固性和100%的雪崩測試,穩(wěn)定可靠;...
KNP9125A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù),最高承受電壓可達(dá)250V,漏極電流最大值...KNP9125A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù),最高承受電壓可達(dá)250V,漏極電流最大值為40A,RDS(ON)=80mΩ(典型值)@VGS=10V;具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快速恢...
KNH7150A場效應(yīng)管采用專有新平面技術(shù),漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,RDS(ON...KNH7150A場效應(yīng)管采用專有新平面技術(shù),漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V,具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快恢復(fù)體二極管,是一款性...