漏源電壓:500V 漏極電流:28A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.16Ω 柵源電壓:±...漏源電壓:500V 漏極電流:28A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.16Ω 柵源電壓:±30V
電動(dòng)車防盜報(bào)警器專用MOS管KPD7910A漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-28A,RDS(on)...電動(dòng)車防盜報(bào)警器專用MOS管KPD7910A漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-28A,RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V,具有極低通阻RDS(on),開關(guān)速度快,優(yōu)秀的QgxRDS產(chǎn)品(FOM)...
無(wú)線充專用MOS管KNB2915A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓150V,漏極電流130A...無(wú)線充專用MOS管KNB2915A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓150V,漏極電流130A,RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=10V,具有極低導(dǎo)通電阻RDS(on)和優(yōu)秀的Qg x RDS...
電機(jī)控制器專用MOS管KNX9130B采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓300V,漏極電...電機(jī)控制器專用MOS管KNX9130B采用專有新型平面技術(shù),漏源擊穿電壓300V,漏極電流40A,RDS(ON)=0.12Ω(典型值)@VGS=10V,降低導(dǎo)通損耗,具有低柵極電荷最小化開...
KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通...KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通損耗、提高開關(guān)性能和增強(qiáng)雪崩能量,漏源擊穿電壓100V,漏極電流120A,低導(dǎo)通電阻(...
無(wú)線充專用MOS管KCM9860A是一款高壓器件,漏源擊穿電壓600V,漏極電流47A;具有...無(wú)線充專用MOS管KCM9860A是一款高壓器件,漏源擊穿電壓600V,漏極電流47A;具有堅(jiān)固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復(fù)二極管相當(dāng)?shù)脑礃O到漏極恢復(fù)時(shí)間、二...