KNX3006A是一款高堅(jiān)固性的場(chǎng)效應(yīng)管,漏源擊穿電壓68V,漏極電流120A,表現(xiàn)出優(yōu)...KNX3006A是一款高堅(jiān)固性的場(chǎng)效應(yīng)管,漏源擊穿電壓68V,漏極電流120A,表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能;RDS(ON)=5.8mΩ(典型值)@VGS=10V,具有低柵極電荷(107nC),經(jīng)過改進(jìn)...
KNX3106N場(chǎng)效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)60V和漏極電流可達(dá)110A的強(qiáng)大特性,RDS(...KNX3106N場(chǎng)效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)60V和漏極電流可達(dá)110A的強(qiáng)大特性,RDS(ON)在VGS為10V時(shí)表現(xiàn)出色,僅為7mΩ(典型值),表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力;采用了專有...
KCX2213A場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有高堅(jiān)固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品,漏源擊穿電壓135V,...KCX2213A場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有高堅(jiān)固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品,漏源擊穿電壓135V,漏極電流可達(dá)200A,表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能;RDS(ON)僅為2.9mΩ(典型值)@VGS=10V,具...
KCX2920K場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件,采用新型溝槽技術(shù),漏源...KCX2920K場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件,采用新型溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓200V,漏極電流130A,表現(xiàn)出色;RDS(ON)為9.8mΩ(典型值)@VGS=10V,在...
KNG3303C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件,漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,具有極...KNG3303C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件,漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,具有極低的導(dǎo)通電阻,RDS(ON)僅為2.6mΩ(typ.)@VGS=10V;在PWM應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)中表現(xiàn)出色,...
KIA7P03A功率場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn),電流能力...KIA7P03A功率場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn),電流能力為-7.5A,電壓為-30V,典型的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為18mΩ,在柵源電壓為10V時(shí);7P03場(chǎng)...