常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管...常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管、雙柵場效應管、功率場效應管等。
DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個...DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個柵極都可以對溝道進行控制,目的是為了控制的便利性與獨立性,尤其是有兩個控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結構(圖1.24)。就PN結的特性而言,與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道,雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC/DC變...功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC/DC變換器、DC/DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領域。
MOSFET構造,從縱剖面來看,柵極(柵區(qū))、源極(源區(qū))、漏極(漏區(qū))大致排列...MOSFET構造,從縱剖面來看,柵極(柵區(qū))、源極(源區(qū))、漏極(漏區(qū))大致排列在同不斷線上,這樣的構造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構造。同時,柵極,精確一...