mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的,他們都是...
MOS管的開(kāi)關(guān)條件”前而處置了MOS管的按法問(wèn)題,接下來(lái)談?wù)凪OS管’ 的 開(kāi)關(guān)條件...MOS管的開(kāi)關(guān)條件”前而處置了MOS管的按法問(wèn)題,接下來(lái)談?wù)凪OS管’ 的 開(kāi)關(guān)條件 ·控制極電平為 “ 1_V ” 時(shí)MOS管導(dǎo)通 (飽和導(dǎo)通) 控制極電平為 “ 1_V ” 時(shí)...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲(chǔ)器兩類.揮發(fā)性存儲(chǔ)器,如動(dòng)態(tài)隨機(jī)...半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲(chǔ)器兩類.揮發(fā)性存儲(chǔ)器,如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,若其電源供應(yīng)關(guān)閉,將會(huì)喪失所儲(chǔ)存的信息,相比之下,非揮...
在高壓雙極型開(kāi)關(guān)晶體管中,“下降時(shí)間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)...在高壓雙極型開(kāi)關(guān)晶體管中,“下降時(shí)間”(關(guān)斷沿的速度或者dv/dt)主要由基極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電流特性曲線的形狀來(lái)決定,從基極關(guān)斷驅(qū)動(dòng)申請(qǐng)到真正關(guān)斷沿之間的延時(shí)是存儲(chǔ)...
在開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中,一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管,常...在開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中,一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管,常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管??旎謴?fù)二極管和超快恢...
可控硅器件是一種非常重要的功率器件,可用來(lái)作高電壓和高電流的控制.可控硅器...可控硅器件是一種非常重要的功率器件,可用來(lái)作高電壓和高電流的控制.可控硅器件主要用在開(kāi)關(guān)方面,使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開(kāi)啟或是導(dǎo)通的狀態(tài),反之亦...