KIA6110A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12...KIA6110A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12n10參數(shù)100V,15A場效應(yīng)管在防盜器、LED驅(qū)動(dòng)、DC-DC電源、負(fù)載開關(guān)中應(yīng)用;KIA6110A...
KPD8610A采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),可以代換nce01p30k參數(shù)-100V,-30A場效應(yīng)管...KPD8610A采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),可以代換nce01p30k參數(shù)-100V,-30A場效應(yīng)管,KPD8610A漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V,極低電...
KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)...KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),性能優(yōu)越;漏源擊穿電壓為-100V,漏極電流為-23A,低導(dǎo)通電阻RDS(ON)值為78mΩ(...
最大耐壓:30V 最大電流:18A 導(dǎo)通電阻:5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電...最大耐壓:30V 最大電流:18A 導(dǎo)通電阻:5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電容 (Crss):542pF
KIA75NF75場效應(yīng)管采用先進(jìn)的技術(shù),漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,低Rds開啟,...KIA75NF75場效應(yīng)管采用先進(jìn)的技術(shù),漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,低Rds開啟,RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,減少導(dǎo)電損耗、提升效率;無鉛和綠色設(shè)備的特點(diǎn),符合環(huán)保要...
KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應(yīng)管80V,200A參數(shù)的高性能功率器件,KIA280...KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應(yīng)管80V,200A參數(shù)的高性能功率器件,KIA2808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流150A,VGS=10V時(shí),RDS(開啟)=4.0m?(典型值...