KNX3406A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流為80A,低電阻,在VGS=10V時,RDS(...KNX3406A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流為80A,低電阻,在VGS=10V時,RDS(ON)=6.5m?(典型值),最大限度地減少導(dǎo)電損耗,提供卓越的開關(guān)性能;高雪崩、電...
KIA8606A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET,漏源擊穿電壓60V,漏極電...KIA8606A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET,漏源擊穿電壓60V,漏極電流為35A,超低柵極電荷,提供卓越的開關(guān)性能;100%EAS保證、出色的Cdv/dt效應(yīng)、綠色...
KIA3506A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流為70A,VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ ...KIA3506A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流為70A,VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V;具有超低電阻、高UIS和UIS 100%測試,減小損耗,穩(wěn)定可靠;KIA3506A可以代...
KIA30N06B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓60V,漏極電流2...KIA30N06B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓60V,漏極電流25A,RDS(開啟)=25m?@VDS=60V,具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)下降以及100%E...
KIA2404A場效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計,漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A;超低...KIA2404A場效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計,漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A;超低導(dǎo)通電阻RDS(開啟)(TYP)=2.2m?@VGS=10 V,提高開關(guān)效率降低損耗;100%雪崩試驗...
KPX3204B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽,漏源擊穿電壓-40V,漏極電流-90A,...KPX3204B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽,漏源擊穿電壓-40V,漏極電流-90A,極低導(dǎo)通電阻VGS=-10V時,RDS(ON)=3.2mΩ(典型值);超低柵極電荷,高效率低損耗...