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sic-sic是什么-sic制作工藝、主要成分及適用于哪些領(lǐng)域-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-06-28 

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sic-sic是什么-sic制作工藝、主要成分及適用于哪些領(lǐng)域

sic概述

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。


sic


sic的物質(zhì)品種

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用的基本品種,都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%,其韌性高于綠碳化硅,大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上,自銳性好,大多用于加工硬質(zhì)合金、鈦合金和光學(xué)玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅,它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,用以制作的磨具適于軸承的超精加工,可使表面粗糙度從Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。


sic的制作工藝

sic,由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。


碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一,它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱:SiC顆粒料,因含有C且超硬,因此SiC顆粒料曾被稱為:金剛砂。


但要注意:它與天然金剛砂(也稱:石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專用的碳化硅電爐,其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發(fā)熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。


該電爐所用的燒成方法俗稱:埋粉燒成。它一通電即為加熱開始,爐心體溫度約2500℃,甚至更高(2600~2700℃),爐料達(dá)到1450℃時(shí)開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時(shí)形成),且放出co。然而,≥2600℃時(shí)SiC會分解,但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器,但生產(chǎn)時(shí)只對單一電爐供電,以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來基本上保持恒功率,大功率電爐要加熱約24 h,停電后生成SiC的反應(yīng)基本結(jié)束,再經(jīng)過一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻,然后逐步取出爐料。


高溫煅燒后的爐料從外到內(nèi)分別是:未反應(yīng)料(在爐中起保溫作用)、氧碳化硅羼(半反應(yīng)料,主要成分是C與SiO。)、粘結(jié)物層(是粘結(jié)很緊的物料層,主要成分是C、SiO2、40%~60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%~90%SiC,而且是立方SiC即β-sic,其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽)、二級品SiC層(主要成分是90%~95%SiC,該層已生成六方SiC即口一SiC,但結(jié)晶體較小、很脆弱,不能作為磨料)、一級品SiC層(SiC含量<96%,而且是六方SiC即口一SiC的粗大結(jié)晶體)、爐芯體石墨。


在上述各層料中,通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結(jié)物一起收集為回爐料,而一些粘結(jié)很緊、塊度大、雜質(zhì)多的粘結(jié)物則拋棄之。而一級品則經(jīng)過分級、粗碎、細(xì)碎、化學(xué)處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程;要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程。


sic MOSFET的特性

1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。


2、隨著門極電壓的升高,導(dǎo)通電阻越小,表現(xiàn)更接近于壓控電阻。


3、開通需要門極電荷較小,總體驅(qū)動功率較低,其體二極管Vf較高,但反向恢復(fù)性很好,可以降低開通損耗。


4、具有更小的結(jié)電容,關(guān)斷速度較快,關(guān)斷損耗更小。


5、開關(guān)損耗小,可以進(jìn)行高頻開關(guān)動作,使得濾波器等無源器件小型化,提高功率密度。


6、開通電壓高于高于SI器件,推薦使用Vgs為18V或者20V,雖然開啟電壓只有2.7V,但只有驅(qū)動電壓達(dá)到18V~20V時(shí)才能完全開通。


7、誤觸發(fā)耐性稍差,需要有源鉗位電路或者施加負(fù)電壓防止其誤觸發(fā)。


sic MOSFET對驅(qū)動的要求

1、觸發(fā)脈沖有比較快的上升速度和下降速度,脈沖前沿和后沿要陡。


2、驅(qū)動回路的阻抗不能太大,開通時(shí)快速對柵極電容充電,關(guān)斷時(shí)柵極電容能夠快速放電。


3、驅(qū)動電路能夠提供足夠大的驅(qū)動電流


4、驅(qū)動電路能夠提供足夠大的驅(qū)動電壓,減小SIC MOSFET的導(dǎo)通損耗。


5、驅(qū)動電路采用負(fù)壓關(guān)斷,防止誤導(dǎo)通,增強(qiáng)其抗干擾能力。


6、驅(qū)動電路整個(gè)驅(qū)動回路寄生電感要小,驅(qū)動電路盡量靠近功率管。


7、驅(qū)動電路峰值電流Imax要更大,減小米勒平臺的持續(xù)時(shí)間,提高開關(guān)速度。


sic的用處

sic在電氣工業(yè)中,碳化硅可用做避雷器閥體、硅碳電熱元件、遠(yuǎn)紅外線發(fā)生器等。在電子工業(yè)中,如在工業(yè)碳化硅爐內(nèi)或在工業(yè)爐上用特別辦法培育出來大片完好的碳化硅單晶體,可作為發(fā)光二極管(如晶體燈、數(shù)字管燈)的基片;高純碳化硅晶體是制造耐輻射高溫半導(dǎo)體的優(yōu)質(zhì)資料。碳化硅是少量禁帶寬度大(2.86eV)且具有P及n兩種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體資料之一。


在航天工業(yè)中,用碳化硅制造的燃?xì)鉃V片、燃燒室噴嘴已用于火箭技能中?,F(xiàn)已完成工業(yè)化出產(chǎn)的碳化硅纖維,是一種新式高強(qiáng)度、高模量資料,具有優(yōu)異的耐熱性和耐氧化性,與金屬、樹脂有杰出的相容性。使用溫度可達(dá)1200℃,高溫下強(qiáng)度堅(jiān)持率可達(dá)80%以上??捎靡灾圃鞜崞帘钨Y料、耐高溫輸送帶、過濾高溫氣體或熔融金屬的濾布,也可與炭纖維或玻璃纖維復(fù)合用做增強(qiáng)金屬和陶瓷的增強(qiáng)資料。


低檔次的碳化硅可用做煉鋼脫氧劑及鑄鐵添加劑。


在炭素工業(yè)中,碳化硅首要用來出產(chǎn)煉鐵高爐用磚,如石墨碳化硅、氮化硅結(jié)合的碳化硅磚等。


在石墨電極出產(chǎn)中,碳化硅還用做耐氧化涂層電極的涂層耐火燒結(jié)料的配猜中,以添加涂層對溫度急劇改變的承受才能。


在特種炭素資料——生物炭的制造中,常以丙烷和三氯甲基硅烷為氣體質(zhì)料,經(jīng)高溫?zé)峤夥错懀谑w上堆積生成含硅熱解炭涂層,以添加制品的硬度、強(qiáng)度和耐磨性。涂層中的碳化硅以β-SiC的晶型存在,晶粒尺寸為1μm左右。用此法制造的生物炭制品如含硅熱解炭人工心臟瓣膜等,具有很好的生物相容性。


sic主要體現(xiàn)在那幾大領(lǐng)域呢?

(一)在半導(dǎo)體范疇的使用

碳化硅一維納米資料因?yàn)楸旧淼奈⒂^描摹和晶體結(jié)構(gòu)使其具有更多獨(dú)特的優(yōu)異功用和愈加廣泛的使用遠(yuǎn)景,被普遍認(rèn)為有望成為第三代寬帶隙半導(dǎo)體資料的重要組成單元。


第三代半導(dǎo)體資料即寬禁帶半導(dǎo)體資料,又稱高溫半導(dǎo)體資料,首要包含碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。這類資料具有寬的禁帶寬度(禁帶寬度大于2.2ev)、高的熱導(dǎo)率、高的擊穿電場、高的抗輻射才能、高的電子飽和速率等特點(diǎn),適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制造。第三代半導(dǎo)體資料憑借著其優(yōu)異的特性,未來使用遠(yuǎn)景非常寬廣。


(二)在光伏范疇的使用

光伏逆變器對光伏發(fā)電效果非常重要,不只具有直溝通改換功用,還具有最大限度地發(fā)揮太陽電池功用的功用和體系故障維護(hù)功用。歸納起來有主動運(yùn)轉(zhuǎn)和停機(jī)功用、最大功率盯梢操控功用、防單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)功用(并網(wǎng)體系用)、主動電壓調(diào)整功用(并網(wǎng)體系用)、直流檢測功用(并網(wǎng)體系用)、直流接地檢測功用(并網(wǎng)體系用)等。


國內(nèi)逆變器廠家對新技能和新器件的使用仍是太少,以碳化硅為功率器件的逆變器,而且開端大批量使用,碳化硅內(nèi)阻很少,能夠把功率做很高,開關(guān)頻率能夠達(dá)到10K,也能夠節(jié)約LC濾波器和母線電容。碳化硅資料在光伏逆變器使用上或有打破。


(三)在航空范疇的使用

碳化硅制造成碳化硅纖維,碳化硅纖維首要用作耐高溫資料和增強(qiáng)資料,耐高溫資料包含熱屏蔽資料、耐高溫輸送帶、過濾高溫氣體或熔融金屬的濾布等。用做增強(qiáng)資料時(shí),常與碳纖維或玻璃纖維合用,以增強(qiáng)金屬(如鋁)和陶瓷為主,如做成噴氣式飛機(jī)的剎車片、發(fā)動機(jī)葉片、著陸齒輪箱和機(jī)身結(jié)構(gòu)資料等,還可用做體育用品,其短切纖維則可用做高溫爐材等。


碳化硅粗料已能很多供給,但是技能含量極高 的納米級碳化硅粉體的使用短時(shí)間不可能構(gòu)成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。碳化硅晶片在我國研制尚屬起步階段,碳化硅晶片在國內(nèi)的使用較少,碳化硅資料產(chǎn)業(yè)的展開缺乏下游使用企業(yè)的支撐。就人才培養(yǎng)和技能研制等展開密切合作;加強(qiáng)企業(yè)間的溝通,尤其要積極參加國際溝通活動,提高企業(yè)展開水平;重視企業(yè)品牌建造,努力打造企業(yè)的拳頭產(chǎn)品等。


聯(lián)系方式:鄒先生

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